SI3415-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:35mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管(MOSFET)具有20V的漏源耐壓(VDSS),可承受連續漏極電流(ID)達5A,導通電阻(RDON)低至35毫歐,適用于需要高效功率控制的場景。該器件采用先進工藝制造,具備良好的熱穩定性和開關性能,適合用于電源管理、負載開關、電池供電設備及小型電器等領域的電路設計。其低導通電阻有效降低功率損耗,提升系統整體效率。
