DMN3010LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本N溝道場效應管（MOSFET）具備30V漏源電壓（VDSS）和50A連續漏極電流（ID）能力，適用于多種功率控制場景。其導通電阻（RDON）僅為7.5mΩ，可顯著降低導通損耗，提升系統效率。器件結構設計優化，具備良好的熱穩定性和耐用性，適合用于電源管理模塊、電機控制電路、開關電源及各類中高功率電子設備，為高效能、高可靠性的電路設計方案提供有力支持。
