DMN3010LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:7.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道場效應管(MOSFET)具備30V漏源電壓(VDSS)和50A連續漏極電流(ID)能力,適用于多種功率控制場景。其導通電阻(RDON)僅為7.5mΩ,可顯著降低導通損耗,提升系統效率。器件結構設計優化,具備良好的熱穩定性和耐用性,適合用于電源管理模塊、電機控制電路、開關電源及各類中高功率電子設備,為高效能、高可靠性的電路設計方案提供有力支持。
