DMNH3010LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能與開關(guān)特性，適用于多種高效能場景。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為50A，漏源電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON低至7.5mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于電源管理、高精度控制電路及負(fù)載開關(guān)等多種應(yīng)用場合，是高性能電子設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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