FDD6035AL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:7.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備優異的電氣性能和穩定的工作表現,適用于多種高要求電路設計。主要參數包括:最大漏極電流ID為50A,漏源擊穿電壓VDSS為30V,導通電阻RDON低至7.5mΩ,有效降低導通損耗并提升整體效率。器件采用標準封裝形式,具備良好的散熱能力與可靠性,適用于電源轉換、電機控制、儲能系統及精密電子設備中的高頻開關應用,滿足多樣化場景的技術需求。
