SQD100N03-3M4_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）與120A的最大漏極電流（ID），適用于較高電流負(fù)載的電路應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻（RDON）低至3毫歐，有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提高整體效率。器件基于高密度溝槽工藝設(shè)計，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐久性，適合用于電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)控制、電池管理系統(tǒng)及高性能電子設(shè)備中。優(yōu)異的電氣性能和可靠性可滿足多種通用型電路設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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