2SK4178-ZK-E1-AY-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源電壓（VDSS）和60A的最大漏極電流（ID），適用于中高電流應用場景。其導通電阻（RDON）僅為7毫歐，有效降低導通損耗，提升系統效率。器件采用優化的溝槽結構設計，具備良好的熱穩定性和耐用性，適合用于電源管理、開關電路、電池保護及各類高性能電子設備中。優異的電氣特性和可靠性可滿足廣泛通用型電路設計的需求。
