NP36P06SLG-E1-AY-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:29mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），可滿足中高功率應用需求。其導通電阻（RDON）僅為29毫歐，有助于降低導通損耗，提高電源轉換效率。器件適用于各類電源管理系統，如直流-直流轉換器、負載開關、電池保護電路及同步整流電路。得益于P溝道設計，該MOSFET在上橋臂開關應用中驅動簡單、響應迅速，廣泛用于通信設備、智能家居控制模塊及高性能消費類電子產品中。
