RD3L03BATTL1-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:29mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30A的最大漏極電流（ID），適用于中高功率應(yīng)用場(chǎng)景。導(dǎo)通電阻（RDON）低至29毫歐，有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于電源管理、開(kāi)關(guān)電路、負(fù)載控制及便攜式設(shè)備等各類(lèi)通用電子應(yīng)用。其封裝形式便于安裝與散熱，可滿足多種電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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