STD35P6LLF6-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:29mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
P溝道場效應管（MOSFET），具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30A的額定漏極電流（ID），適用于中高功率應用。導通電阻（RDON）低至29mΩ，有效降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用P溝道結構，適合用于電源管理、負載開關、電池供電設備及各類直流電機控制電路。憑借其優異的電氣性能與穩定的工作表現，可廣泛應用于通信設備、消費電子及智能家電等領域的電源轉換模塊。
