IPD380P06NMATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:29mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
P溝道場效應管（MOSFET）具備60V漏源耐壓（VDSS）與30A連續漏極電流（ID）能力，適用于多種中高功率電源管理應用。其導通電阻（RDON）低至29mΩ，有助于降低導通損耗，提高能效。該器件采用P溝道結構，常用于直流電源轉換、負載開關控制、電池管理系統及電機驅動電路。憑借良好的電氣性能和穩定性，適用于通信設備、消費類電子產品及智能家電中的電源模塊設計。
