IPD380P06NMATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:29mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備60V漏源耐壓（VDSS）與30A連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于多種中高功率電源管理應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻（RDON）低至29mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高能效。該器件采用P溝道結(jié)構(gòu)，常用于直流電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、電池管理系統(tǒng)及電機(jī)驅(qū)動電路。憑借良好的電氣性能和穩(wěn)定性，適用于通信設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品及智能家電中的電源模塊設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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