SQ4435EY-T1_BE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持最高11A的連續漏極電流（ID），導通電阻僅為13mΩ（RDON），可有效降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用標準封裝，適用于各類電源管理及開關電路，如DC-DC轉換器、負載開關和電機控制等場景，具備良好的熱穩定性和耐用性，能夠滿足多種通用電子設備對功率控制與能效優化的需求。
