SQ4435EY-T1_BE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:11A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:13mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管(MOSFET)具有30V的漏源擊穿電壓(VDSS),支持最高11A的連續漏極電流(ID),導通電阻僅為13mΩ(RDON),可有效降低導通損耗,提高系統效率。該器件采用標準封裝,適用于各類電源管理及開關電路,如DC-DC轉換器、負載開關和電機控制等場景,具備良好的熱穩定性和耐用性,能夠滿足多種通用電子設備對功率控制與能效優化的需求。
