SI4413CDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:11A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持最大11A的連續(xù)漏極電流（ID），在導(dǎo)通狀態(tài)下，其導(dǎo)通電阻（RDON）低至13毫歐，有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。該器件適用于需要高效能、小體積功率開關(guān)的場(chǎng)合，例如電源管理模塊、電池供電設(shè)備以及各類通用電子控制系統(tǒng)中的電能轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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