SI4835DDY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備11A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDON）僅為13毫歐，表現出優異的導通性能與較低的功率損耗。器件采用成熟工藝制造，確保穩定的開關特性和良好的熱響應，適用于各類中低功率電源轉換、負載開關及電池供電設備中的功率控制環節，為電路提供高效、可靠的解決方案。
