SI4835DDY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:11A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備11A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDON）僅為13毫歐，表現(xiàn)出優(yōu)異的導通性能與較低的功率損耗。器件采用成熟工藝制造，確保穩(wěn)定的開關(guān)特性和良好的熱響應(yīng)，適用于各類中低功率電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)及電池供電設(shè)備中的功率控制環(huán)節(jié)，為電路提供高效、可靠的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
