SH8J65TB1-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:11A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:14mR 參數4:溝道類型:P+P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為PP溝道場效應管(MOSFET),具有較高的電流承載能力,持續漏極電流ID可達11A,漏源電壓VDSS為30V,導通電阻RDON低至14mΩ,有助于降低導通損耗并提升系統效率。該器件適用于需要高效能功率控制的各類場景,能夠穩定運行在多種負載條件下。其P溝道結構設計使其在電路中常用于高邊開關或同步整流應用,提供可靠的操作性能和良好的熱穩定性,適合于電源管理、電池供電設備及小型電子裝置中的功率切換與調節需求。
