BSC027N06LS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:125A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備高性能與高穩定性的特點，適用于多種功率電子系統。其主要參數包括：最大漏極電流ID為125A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。器件采用優化設計，具備快速開關響應和良好熱穩定性，適合應用于電源轉換器、儲能系統、電機控制電路以及各類精密電子設備中的功率管理環節。
