DMG1016UDWQ-7-HXY_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.8A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:320mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為NP溝道場效應管（MOSFET），主要參數包括：漏極電流ID為0.8A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導通電阻RDON為320mΩ。該器件適用于需要高效開關與信號控制的電路設計，可廣泛用于電源管理、邏輯切換及小型電子設備中的功率調節單元。其低導通電阻特性有助于降低能耗并提升系統效率，是一款適用于多樣化電子產品的基礎半導體元件。
