DMG1016UDWQ-7-HXY_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-363 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:0.8A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:320mR 參數4:溝道類型:N+P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為NP溝道場效應管(MOSFET),主要參數包括:漏極電流ID為0.8A,漏源擊穿電壓VDSS為20V,導通電阻RDON為320mΩ。該器件適用于需要高效開關與信號控制的電路設計,可廣泛用于電源管理、邏輯切換及小型電子設備中的功率調節單元。其低導通電阻特性有助于降低能耗并提升系統效率,是一款適用于多樣化電子產品的基礎半導體元件。
