NVMFS5C638NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:125A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電性能和可靠性，適用于多種高要求的電子設備。其主要參數包括：漏極電流ID為125A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至2.4mΩ，能夠實現高效、穩定的電流傳輸。器件采用先進工藝制造，具備快速開關特性和低損耗優勢，適合用于電源管理、變換器、負載開關以及高性能計算設備中的功率控制部分。同時，其封裝設計便于散熱與集成，為復雜電路應用提供良好支持。
