NVMFS5C638NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:125A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:2.4mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的電性能和可靠性，適用于多種高要求的電子設(shè)備。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為125A，漏源電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON低至2.4mΩ，能夠?qū)崿F(xiàn)高效、穩(wěn)定的電流傳輸。器件采用先進(jìn)工藝制造，具備快速開(kāi)關(guān)特性和低損耗優(yōu)勢(shì)，適合用于電源管理、變換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及高性能計(jì)算設(shè)備中的功率控制部分。同時(shí)，其封裝設(shè)計(jì)便于散熱與集成，為復(fù)雜電路應(yīng)用提供良好支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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