ISC0702NLSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:125A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:2.4mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備高性能與高耐用性,適用于多種電子設備中的功率控制場景。其主要參數包括:最大漏極電流ID為125A,漏源電壓VDSS為60V,導通電阻RDON低至2.4mΩ,能夠有效減少導通損耗,提高系統整體效率。器件采用成熟穩定的制造工藝,具備良好的熱管理特性和開關響應速度,適合應用于高效電源轉換、電機驅動、電池管理系統及高密度功率模塊等場合。
