IRFH7085TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:125A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:2.4mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有125A的持續(xù)漏極電流(ID)和60V的漏源擊穿電壓(VDSS),支持高功率密度設計。導通電阻(RDON)低至2.4mΩ,可顯著減少導通損耗,提高系統(tǒng)效率。器件適用于開關電源、電機控制、電池管理及同步整流等應用,在高頻與高電流工作條件下表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性,滿足多種高性能電子設備的設計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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