IRFH7085TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:125A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有125A的持續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持高功率密度設計。導通電阻（RDON）低至2.4mΩ，可顯著減少導通損耗，提高系統效率。器件適用于開關電源、電機控制、電池管理及同步整流等應用，在高頻與高電流工作條件下表現出良好的穩定性和可靠性，滿足多種高性能電子設備的設計需求。
