DMTH6004LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:125A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電性能和穩定的可靠性，適用于多種高效率功率應用場景。其關鍵參數包括：最大漏極電流ID為125A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至2.4mΩ，有效降低導通損耗并提升整體系統效率。該器件具備快速開關響應與良好的熱穩定性，適合用于電源轉換、電機控制、儲能系統以及高性能電子設備中的功率管理模塊。
