DMTH6004SPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:125A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:2.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的電性能表現(xiàn)，漏源電壓VDSS為60V，可持續(xù)通過125A的大電流ID，導(dǎo)通電阻RDON低至2.4mΩ，有效降低功率損耗。器件適用于高效率開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)及各類中高功率電子設(shè)備，在高頻工作環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能，滿足對功率密度與能效有較高要求的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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