NVMFS5C638NLWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:125A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的導通性能和高可靠性，適用于多種高效能場景。其主要參數包括：最大漏極電流ID為125A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低功耗并提升系統效率。該器件采用先進的工藝制造，具備良好的熱穩定性和耐久性，適合用于電源管理、高頻率開關電路以及需要緊湊設計與高效散熱的應用環境。
