NTMFS6B05NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，導(dǎo)通電阻RDON為6.4mΩ。該器件適用于需要高效功率控制的電子設(shè)備，可廣泛用于電源管理、開關(guān)電路及電機(jī)驅(qū)動等場景。其低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和響應(yīng)速度，適合多種高要求的電路設(shè)計(jì)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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