SIR106DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）主要參數如下：最大漏極電流ID為80A，漏源耐壓VDSS為100V，導通電阻RDON低至6.4mΩ。該器件適用于多種功率控制場合，如高效電源轉換、電機控制、負載開關及電池管理系統等。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提高系統整體效率。同時具備良好的熱穩定性和快速開關響應特性，適合用于對性能和可靠性有較高要求的電路設計中。
