DMTH10H010LPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:80A 參數(shù)2:電壓VDSS:100V 參數(shù)3:RDON:6.4mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)主要參數(shù)包括:漏極電流ID為80A,漏源電壓VDSS為100V,導(dǎo)通電阻RDON低至6.4mΩ,具備優(yōu)異的電性能和穩(wěn)定性。該器件適用于各類中高功率電源管理系統(tǒng),如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理電路、電機(jī)控制模塊及高效能開關(guān)電源。其低導(dǎo)通電阻可有效降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率,同時支持高頻工作,滿足對功率密度與能效有較高要求的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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