IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的漏極電流（ID）和100V的漏源耐壓（VDSS），導通電阻（RDON）僅為6.4mΩ，適用于多種功率控制與電源管理場景。器件采用成熟工藝制造，具有良好的熱穩定性與開關特性，可廣泛用于高效電源轉換、電機驅動、儲能管理及電子設備中的高頻開關電路設計。其低導通電阻有助于降低功耗，提升系統整體能效。
