IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:6.4mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備80A的漏極電流(ID)和100V的漏源耐壓(VDSS),導通電阻(RDON)僅為6.4mΩ,適用于多種功率控制與電源管理場景。器件采用成熟工藝制造,具有良好的熱穩定性與開關特性,可廣泛用于高效電源轉換、電機驅動、儲能管理及電子設備中的高頻開關電路設計。其低導通電阻有助于降低功耗,提升系統整體能效。
