BUK7208-40B-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:7.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）的主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為60A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON為7.7mΩ。該器件適用于多種中低壓功率控制場景，如電源轉(zhuǎn)換模塊、電機(jī)驅(qū)動電路、電池管理系統(tǒng)及開關(guān)電源等。其較低的導(dǎo)通電阻有助于降低能量損耗，提高系統(tǒng)效率。同時具備良好的熱穩(wěn)定性和快速響應(yīng)能力，能夠滿足對效率與可靠性有較高要求的電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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