DMT10H009LPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，導通電阻RDON低至6.4mΩ，適用于需要高效能功率管理的各類場景。該器件采用先進的制造工藝，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合應用于電源轉換、電機控制、儲能系統以及精密電子設備中的開關電路設計。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，提高整體系統效率。
