SIR106ADP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備較高的電流驅動能力和良好的導通特性，適用于多種高效率電路設計。其最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，支持在較高功率環境下穩定工作；導通電阻RDON僅為6.4mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。該器件結構可靠、響應速度快，適合應用于電源轉換、電機驅動、儲能系統以及各類高密度電子設備中的開關與控制電路，滿足對性能和穩定性有要求的電路設計方案需求。
