PMV28ENEAR-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:29mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源耐壓（VDSS）和4A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至29毫歐，可有效降低導通損耗并提升系統效率。采用先進的工藝技術，具備良好的熱穩定性和高頻響應特性，適用于各類電源管理、開關電路以及小型電子設備中的功率控制場景，能夠滿足高效、低功耗設計的需求。
