IRF7389TRPBF-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:7A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:25mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為NP溝道場效應管（MOSFET），具備7A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中功率電源管理與轉換場景。導通電阻（RDON）低至25mΩ，有效降低導通損耗，提高系統效率。器件采用復合溝道設計，在兼顧性能的同時提升了開關穩定性，適合用于電源適配器、充電設備、DC-DC轉換模塊及各類便攜式電子設備中的功率控制電路。
