PMV28ENER-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:29mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備30V漏源電壓（VDSS）和4A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）僅為29毫歐，有助于減少功率損耗并提升整體效率。器件采用成熟穩定的制造工藝，具有良好的溫度特性和開關性能，適用于各類電源轉換、負載開關、電池管理及小型電子設備中的功率控制應用，滿足高效能與低功耗的設計需求。
