STD85N10F7AG-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:70A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:8.2mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備70A的持續漏極電流(ID)和100V的漏源擊穿電壓(VDSS),適用于多種中高功率電子系統。導通電阻(RDON)低至8.2mΩ,可有效減少導通狀態下的能量損耗,提升整體效率。器件結構優化,具備良好的開關特性和熱穩定性,適合應用于電源轉換、電機驅動、儲能管理以及各類電子設備中的高頻開關電路,為系統提供高效、可靠的功率控制方案。
