FDA20N50-HXY_TO-3P_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:28A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:150mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）主要參數(shù)如下：漏極電流ID最大可達28A，漏源電壓VDSS為500V，導(dǎo)通電阻RDON為150mΩ。該器件具備較高的電流承載能力和良好的耐壓特性，適用于各類中高功率電子系統(tǒng)。其較低的導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效。該MOSFET可應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電路、電機驅(qū)動及高頻變換器等場景，提供穩(wěn)定可靠的電氣控制性能，滿足多樣化電路設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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