NVATS5A302PLZT4G-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON低至11mΩ。該器件具備大電流處理能力與較低的導(dǎo)通損耗，適用于多種中低壓功率應(yīng)用場(chǎng)景。憑借其高效的開(kāi)關(guān)特性和良好的熱穩(wěn)定性，該MOSFET可廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)及直流電機(jī)控制等電路中，為系統(tǒng)提供快速響應(yīng)和可靠的功率控制能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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