FDA24N50F-HXY_TO-3P_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3P 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:28A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:150mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和28A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于較高電壓環(huán)境下的功率控制。導(dǎo)通時(shí)典型導(dǎo)通電阻（RDON）為150毫歐，能夠在保證性能的同時(shí)有效控制功耗。器件采用成熟封裝與制造工藝，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于電源適配器、開關(guān)電源、照明驅(qū)動(dòng)以及各類中高壓電子系統(tǒng)中的高頻開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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