FDA20N50F-HXY_TO-3P_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:28A 參數2：電壓VDSS:500V 參數3：RDON:150mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為28A，漏源擊穿電壓VDSS為500V，導通電阻RDON為150mΩ。該器件適用于需要高效開關性能的高功率場景，其低導通電阻有助于降低工作損耗，提高系統效率。憑借較高的電流和電壓耐受能力，該MOSFET可廣泛用于電源轉換、電機控制及高頻率電路設計等領域，為電路提供穩定可靠的導通與截止控制。
