CSD17310Q5A-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高效能表現(xiàn)，適用于多種高要求電路設(shè)計。其漏極電流ID可達60A，漏源電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON低至5.7mΩ，確保在高電流工作條件下仍具備良好的穩(wěn)定性和較低的功率損耗。該器件采用先進工藝制造，具備快速開關(guān)響應(yīng)和耐高溫特性，適合應(yīng)用于電源管理、高頻變換器及各類精密電子設(shè)備中，為電路提供可靠的支持與保障。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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