SCT2080KEC-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:36A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有1200V漏源耐壓（VDSS）與36A額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）僅為80mΩ，適用于高電壓與大功率場景下的開關應用。器件基于高性能硅工藝設計，具備良好的導熱性與工作穩定性，可廣泛用于電源轉換裝置、電機驅動電路、儲能系統及高頻逆變設備中。其參數特性支持高效能、小型化電力電子方案的設計需求，適合對電氣性能和長期運行可靠性有較高要求的各類應用環境。
