SC060N065T8L-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:29A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為650V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具備高耐壓與低導(dǎo)通電阻特性，典型導(dǎo)通電阻（RDON）為60mΩ，最大漏極電流（ID）可達(dá)29A。采用碳化硅材料，提升了器件的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換場景。可廣泛用于電源適配器、光伏逆變系統(tǒng)、儲(chǔ)能設(shè)備及高性能電機(jī)控制電路中，滿足對效率與功率密度有較高要求的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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