IPW60R070CFD7XKSA1-HXY_TO-247_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:29A 參數(shù)2:電壓VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:60mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有650V的漏源耐壓(VDSS),支持中高電壓應(yīng)用場景。導(dǎo)通電阻(RDON)為60mΩ,有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。器件可承載29A的連續(xù)漏極電流(ID),具備較強(qiáng)的電流處理能力。良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性使其適用于電源轉(zhuǎn)換、高頻開關(guān)電路及各類電子負(fù)載管理場合,為高效能電路設(shè)計(jì)提供可靠元件支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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