NVHL082N65S3F-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:29A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可承受較高電壓環(huán)境下的工作需求。導通電阻（RDON）為60mΩ，有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。額定漏極電流（ID）為29A，支持較大電流通過，適用于多種高效電源管理系統(tǒng)。該器件具備良好的熱穩(wěn)定性和開關特性，適合用于高頻率開關電路、電源轉換器及負載開關等場景，為電路設計提供可靠性能支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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