NVH082N65S3F-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備29A的額定漏極電流（ID），滿足較高電流場景下的開關與導通需求。其漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，可在中高功率應用中穩定工作。導通電阻（RDON）低至60mΩ，有助于減少導通損耗并提升整體效率。該器件適用于各類電源管理系統、高頻開關電路以及直流變換裝置，具備良好的熱穩定性與動態響應特性，適合多種高效能電子系統的設計與集成。
