NVH082N65S3F-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:29A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:60mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備29A的額定漏極電流(ID),滿足較高電流場景下的開關與導通需求。其漏源擊穿電壓(VDSS)為650V,可在中高功率應用中穩定工作。導通電阻(RDON)低至60mΩ,有助于減少導通損耗并提升整體效率。該器件適用于各類電源管理系統、高頻開關電路以及直流變換裝置,具備良好的熱穩定性與動態響應特性,適合多種高效能電子系統的設計與集成。
