NVH082N65S3F-HXY_TO-247_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:29A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備29A的額定漏極電流（ID），滿足較高電流場(chǎng)景下的開關(guān)與導(dǎo)通需求。其漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，可在中高功率應(yīng)用中穩(wěn)定工作。導(dǎo)通電阻（RDON）低至60mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升整體效率。該器件適用于各類電源管理系統(tǒng)、高頻開關(guān)電路以及直流變換裝置，具備良好的熱穩(wěn)定性與動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性，適合多種高效能電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與集成。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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