SIHG44N65EF-GE3-HXY_TO-247_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:29A 參數(shù)2:電壓VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:60mR 參數(shù)4:溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有650V漏源電壓(VDSS)、29A最大連續(xù)漏極電流(ID)及60mΩ低導(dǎo)通電阻(RDON),支持高功率密度與高效率電路設(shè)計(jì)。器件具備優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和熱穩(wěn)定性,適用于電源適配器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、智能家電以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等各類(lèi)高性能電子設(shè)備中的功率控制應(yīng)用,可滿足高頻、高壓工作環(huán)境的技術(shù)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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