SIHG44N65EF-GE3-HXY_TO-247_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:29A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本N溝道增強型場效應(yīng)管（MOSFET）具有650V漏源電壓（VDSS）、29A最大連續(xù)漏極電流（ID）及60mΩ低導(dǎo)通電阻（RDON），支持高功率密度與高效率電路設(shè)計。器件具備優(yōu)異的開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性，適用于電源適配器、儲能系統(tǒng)、智能家電以及電機驅(qū)動等各類高性能電子設(shè)備中的功率控制應(yīng)用，可滿足高頻、高壓工作環(huán)境的技術(shù)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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