IPW60R070P6-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和29A的最大連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至60mΩ，適用于高效率、高功率密度的開關電路設計。器件采用成熟穩定的制造工藝，具有良好的熱穩定性和可靠性，適合用于電源轉換、電機控制、儲能系統及精密電子設備中的高頻開關應用。封裝形式可根據需求適配多種標準規格，便于在不同電路環境中安裝與使用。
