NTH4LN067N65S3H-HXY_TO-247H-4L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:29A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為650V N溝道增強型場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備良好的導通特性和開關(guān)性能。其最大漏極電流ID為29A，導通電阻RDON低至60mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統(tǒng)能效。器件采用成熟半導體工藝制造，具備較高的耐用性和穩(wěn)定性，適用于多種高性能電源轉(zhuǎn)換場景，如高效節(jié)能電源、智能電網(wǎng)設(shè)備及可再生能源系統(tǒng)中的功率控制單元。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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