IPL65R195C7-HXY_DFN8X8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備10A連續漏極電流（ID）和650V漏源耐壓（VDSS），可滿足較高功率場景的需求。導通電阻（RDON）為160mΩ，有助于降低能量損耗并提升整體效率。該器件適用于電源轉換、開關電路、電機控制以及高性能電子設備中的功率管理模塊，具備良好的熱穩定性和快速響應特性，適合對效率與可靠性有較高要求的設計應用。
