SIRA14DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:4.3mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有優異的導通性能與開關特性,適用于多種高效能電源管理系統。其主要參數包括:漏極電流ID為60A,漏源電壓VDSS為30V,導通電阻RDON低至4.3mΩ,能夠有效降低功率損耗并提升系統效率。該器件采用先進工藝制造,具備良好的熱穩定性和可靠性,適合應用于高密度電源轉換、同步整流、負載開關及電池管理等場景,為電路設計提供靈活而高效的解決方案。
