IPL60R115CFD7-HXY_DFN8X8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:17A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備17A的漏極電流（ID）和650V的漏源耐壓（VDSS），適用于中高功率電源管理應用。導通電阻（RDON）為100mΩ，有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。器件采用成熟穩定的工藝制造，具備良好的熱穩定性和耐用性，可廣泛應用于開關電源、直流電機驅動、LED照明控制及各類中高電壓電子設備中，滿足多樣化電路設計需求。
