IMW65R030M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有優異的導電性能與高效的開關特性。其漏極電流ID可達49A，漏源電壓VDSS最高支持650V，導通電阻RDON低至33mΩ，適用于高頻率、高效率的電力轉換場景。該器件基于碳化硅材料，具備良好的熱穩定性和耐高壓能力，適合用于電源適配器、光伏逆變系統、儲能設備及高性能電機控制等領域的功率管理應用。
